Laatste nieuws:

, 12 maart 2018 15:22

Atomair vlakke galliumlagen bieden mogelijkheden voor productie nano-elektronica

Onderzoekers van de Amerikaanse Rice University en het Indiase Instituut voor Wetenschap hebben een nieuwe methode ontdekt om atomair vlakke galliumlagen te maken. De ontwikkeling is volgens de onderzoekers veelbelovend voor de ontwikkeling van nano-elektronica.

Een model van de structuur van een laag gallenene nadat deze is gescheiden van gallium (beeld: Ajayan Research Group)'
Een model van de structuur van een laag gallenene nadat deze is gescheiden van gallium (beeld: Ajayan Research Group)
1/1
De onderzoekers beschrijven hun bevindingen in Science Advances. De wetenschappers zijn erin geslaagd tweedimensionale 'gallenene' te creëren, een dun folie van geleidend materiaal dat voor gallium dezelfde rol vervult als grafeen voor koolstof. Indien dit materiaal in tweedimensionale vorm wordt geëxtraheerd, blijkt het goed te binden met halfgeleiders als silicium. Deze eigenschap maakt het volgens de onderzoeker mogelijk een efficiënt contactoppervlak van metaal te creëren in tweedimensionale elektronische apparaten. 

Gallium

Gallium is een metaal met een laag smeltpunt. In tegenstelling tot grafeen en veel andere 2D-structuren is het nog niet mogelijk gallium met vacuümverdamping te creëren. Gallium heeft daarnaast de neiging snel te oxideren. Vroege samples van grafeen werden met behulp van plakband uit grafiet verwijderd. De binding tussen galliumlagen zijn echter te sterk om een dergelijke aanpak te hanteren. 

De onderzoekers van de Rice University en het Indiase Instituut voor Wetenschap hebben daarom een methode ontwikkeld om met behulp van warmte galliumlagen te scheiden. De onderzoekers verwarmen gallium hierbij tot een temperatuur van 29,7 graden Celsius, wat net lager is dan het smeltpunt van het materiaal. Dit blijkt voldoende te zijn om gallium op een glasplaat te laten druppelen. Zodra deze druppel een klein beetje is afgekoeld, drukken de onderzoekers een plat stuk siliciumdioxide op het materiaal om enkele lagen gallenene van het materiaal te scheiden.

Op substraten plaatsen

Ook zijn de onderzoekers erin geslaagd deze lagen gallenene op andere substraten te plaatsen, waaronder galliumnitride, galliumarsenide, silicium en nikkel. Hieruit blijkt dat verschillende combinaties van gallenene met andere substraten verschillende elektrische eigenschappen hebben. De onderzoekers verwachten deze eigenschappen te kunnen finetunen voor specifieke toepassingen. 

Meer informatie over de ontwikkeling is beschikbaar bij Science Advances

Reacties

Er zijn nog geen reacties op dit artikel.

Hier kunt u een reactie plaatsen bij het bericht .
Uw e-mailadres zal niet op de website worden getoond.
Uw naam *
Uw E-mail *
Uw bericht *
 

Van onze partners meer (5)...

B&R Industriele Automatisering BV

Perfection in Automation  

EUCHNER (Benelux) BV

DIS Sensors

Bege Aandrijftechniek BV

Rotero Holland bv

Vacatures

ab op Twitter

TwitterlogoVolg ab nu ook op Twitter!

Onze accountnaam is: @aenb

Agenda meer (5)

24 september 2018 -
Week van de middelgrote en kleine industrie
2 oktober 2018 - Utrecht, Jaarbeurs
World of Technology & Science 2018
9 oktober 2018 -
Industrial Heat & Power
13 november 2018 - München
Electronica 2018
28 november 2018 - De Reehorst in Ede
ATEX Event: mechanische apparatuur als potentiële ontstekingsbron

Geen nieuws meer missen?

Meldt u dan direct aan voor de gratis ab nieuwsbrief.

 

Knop nieuwsbriefMet de gratis ab nieuwsbrief wordt u wekelijks op de hoogte gehouden over het aandrijven en besturen nieuws. U ontvangt wekelijks het laatste nieuws en elke maand een themanieuwsbrief.

 

Direct aanmelden