Eaton en Infineon werken samen aan voeding AI-datacenters

Infineon Technologies gaat siliciumcarbide-vermogenshalfgeleiders leveren aan Eaton voor een nieuwe generatie solid-state transformatoren. De bedrijven richten zich daarbij onder meer op 800 VDC-architecturen voor AI-datacenters.

De SiC-vermogenshalfgeleiders van Infineon worden toegepast in Eatons Medium-Voltage Solid-State Transformer (MVSST) 2.0-platform. Dit platform is in eerste instantie bedoeld voor toepassing in de regio Azië-Pacific. Met de samenwerking willen beide bedrijven het rendement en betrouwbaarheid verbeteren van de vermogensomzetting tussen het elektriciteitsnet en datacenters.

800 VDC-distributie

De sterk groeiende vermogensvraag van AI-datacenters stelt volgens de bedrijven nieuwe eisen aan de elektrische infrastructuur. Daarbij komt onder meer 800 VDC-distributie in beeld. Door gelijkspanning op een hoger spanningsniveau binnen het datacenter te distribueren, kunnen omzettingsstappen in de energievoorziening worden beperkt.

Eatons MVSST 2.0 is ontwikkeld voor dergelijke hoogvermogende datacenterinfrastructuren. Volgens Eaton vermindert de solid-state transformator ten opzichte van conventionele architecturen het aantal omzettingsstappen. Dat moet niet alleen het rendement verhogen, maar ook een hogere vermogensdichtheid en meer flexibiliteit bij de inrichting van de energievoorziening mogelijk maken. Het platform behoort volgens de bedrijven tot de eerste solid-state transformatoren voor middenspanning die volgens IEC-normen zijn gecertificeerd.

Hogere spanningen

Infineon en Eaton kijken ondertussen al naar een volgende stap. De bedrijven onderzoeken de ontwikkeling van solid-state-transformatorplatforms met SiC-vermogensmodules voor spanningen van 2,3 en 3,3 kV. Daarmee moeten hogere systeemspanningen mogelijk worden, terwijl tegelijkertijd het rendement en de betrouwbaarheid verder kunnen worden verbeterd. Behalve voor AI-datacenters zien de bedrijven toepassingen bij de modernisering van elektriciteitsnetten en in installaties voor hernieuwbare energie.

Siliciumcarbide is voor dergelijke vermogenselektronica interessant vanwege de lagere schakelverliezen en de mogelijkheid om bij hogere spanningen en schakelfrequenties te werken dan met conventionele siliciumcomponenten. Infineon heeft inmiddels SiC-MOSFETs in zijn programma voor spanningsklassen tot 3,3 kV.