Imec en ASML versterken hun samenwerking

De Belgische onderzoeks- en innovatiehub op het vlak van nano-elektronica en digitale technologie imec en ASML kondigden vorige week de volgende stap in hun samenwerking aan. Het doel van de hernieuwde en intensere samenwerking is om EUV-lithografie klaar te stomen voor de bredere chipindustrie.

Met de samenwerking verstevigt imec zijn toppositie in onderzoek naar de volgende generatie chiptechnologie. En ASML kan hierdoor ook in de toekomst steunen op imec's expertise bij de verdere realisatie van hun meest vooruitstrevende lithografiesystemen.

EUV scanner 

In 2014 werd de strategische samenwerking naar een hoger niveau getild met de oprichting van een gemeenschappelijk onderzoekscentrum, het Advanced Patterning Center, om lithografietechnologie te optimaliseren. Die samenwerking wordt nu verder uitgebreid. In de loop van 2019 zal ASML in de imec cleanroom één van hun meest geavanceerde EUV scanners (NXE:3400B) installeren. Op die manier krijgen de imec-onderzoekers en partners toegang tot de nieuwste technologie voor EUV-lithografie.

125 wafers 

Met een vermogen van 250 Watt behaalt het toestel bovendien een lang beoogd streefdoel in productiviteit van 125 wafers (siliciumschijven waarop microchips worden geproduceerd) per uur, wat deze nieuwste generatie EUV lithografietoestellen geschikt maakt voor de massaproductie van chips. Ter vergelijking: bij de eerste generatie NXE:3300 toestellen lag het aantal wafers dat verwerkt wordt op 21 per uur.

Onderzoekslab

Daarnaast wordt de samenwerking met ASML ook uitgebreid met een gemeenschappelijk onderzoekslab in Veldhoven. Daar zullen onderzoekers van imec en ASML experimenteren met een volgende generatie van EUV-lithografie die noodzakelijk is om de basisbouwblokken van chips, transistoren, nog kleiner te maken en dus nog krachtiger chips te bouwen dan vandaag mogelijk is. Dit onderzoek zal gebeuren op een nieuw EUV-lithografiesysteem met hogere Numerische Apertuur (NA). Omdat systemen met een hogere NA het EUV-licht vanuit een bredere invalshoek kunnen projecteren op de wafer, kunnen ze nog fijnere patronen creëren.